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SI2315BDS-T1-GE3

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Numero de parte
SI2315BDS-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI2315BDS-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SI2315BDS-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
715pF @ 6V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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