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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSP170PL6327HTSA1

BSP170PL6327HTSA1

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Numero de parte
BSP170PL6327HTSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
BSP170PL6327HTSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
410pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-SOT223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA

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