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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TPC8115(TE12L,Q,M)

TPC8115(TE12L,Q,M)

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Numero de parte
TPC8115(TE12L,Q,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
TPC8115(TE12L,Q,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
10A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
115nC @ 5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
9130pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / Caja
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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