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FDT1600N10ALZ

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Numero de parte
FDT1600N10ALZ
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V SOT-223-4
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDT1600N10ALZ.pdf
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Numero de parte
FDT1600N10ALZ
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V SOT-223-4
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
5.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.77nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
225pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
10.42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA

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