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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPP042N03LGHKSA1

IPP042N03LGHKSA1

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Numero de parte
IPP042N03LGHKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.73840
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$0.73840

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Numero de parte
IPP042N03LGHKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
70A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3900pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3

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