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MMBFJ201_G

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Numero de parte
MMBFJ201_G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
INTEGRATED CIRCUIT
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
MMBFJ201_G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
INTEGRATED CIRCUIT
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Voltaje - Desglose (V (BR) GSS)
40V
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
-
Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
200µA @ 20V
Drenaje Actual (Id) - Max
-
Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id
300mV @ 10nA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Resistencia - RDS (On)
-
Potencia - max
350mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3

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