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HP8K22TB

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Numero de parte
HP8K22TB
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
30V NCHNCH MID POWER MOSFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.47740
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Numero de parte
HP8K22TB
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
30V NCHNCH MID POWER MOSFET
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET
-
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
27A, 57A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1080pF @ 15V
Potencia - max
25W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HSOP

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