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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPI100P03P3L-04

IPI100P03P3L-04

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Numero de parte
IPI100P03P3L-04
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
IPI100P03P3L-04
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.1V @ 475µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Vgs (Max)
+5V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
9300pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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