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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single CSD19538Q2T

CSD19538Q2T

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Numero de parte
CSD19538Q2T
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CSD19538Q2T.pdf
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Numero de parte
CSD19538Q2T
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
13.1A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.6nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
454pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
6-WSON (2x2)
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad

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