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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSD214SNH6327XTSA1

BSD214SNH6327XTSA1

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Numero de parte
BSD214SNH6327XTSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BSD214SNH6327XTSA1.pdf
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Numero de parte
BSD214SNH6327XTSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.7µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
143pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-SOT363-6
Paquete / Caja
6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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