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IRF5810TRPBF

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Numero de parte
IRF5810TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF5810TRPBF.pdf
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Numero de parte
IRF5810TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
650pF @ 16V
Potencia - max
960mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor
6-TSOP

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