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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDS8840NZ

FDS8840NZ

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Numero de parte
FDS8840NZ
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDS8840NZ.pdf
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Numero de parte
FDS8840NZ
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOIC
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
18.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 18.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
144nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7535pF @ 20V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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