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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1

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Numero de parte
IPB044N15N5ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPB044N15N5ATMA1.pdf
Total:$4.13276
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Numero de parte
IPB044N15N5ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
174A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 87A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.6V @ 264µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
8000pF @ 75V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO263-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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