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AS4C16M16MSA-6BINTR

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Numero de parte
AS4C16M16MSA-6BINTR
Fabricante
Alliance Memory, Inc.
Descripción
IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
AS4C16M16MSA-6BINTR.pdf
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Numero de parte
AS4C16M16MSA-6BINTR
Fabricante
Alliance Memory, Inc.
Descripción
IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA
Estado de la pieza
Active
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
DRAM
Tecnología
SDRAM - Mobile SDRAM
Tamaño de la memoria
256Mb (16M x 16)
Frecuencia de reloj
166MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página
-
Tiempo de acceso
5.5ns
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
54-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor
54-FBGA (8x8)

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