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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single PMXB40UNEZ

PMXB40UNEZ

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Numero de parte
PMXB40UNEZ
Fabricante
Nexperia
Descripción
MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
PMXB40UNEZ
Fabricante
Nexperia
Descripción
MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
556pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DFN1010D-3
Paquete / Caja
3-XDFN Exposed Pad

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