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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRF3710ZLPBF

IRF3710ZLPBF

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Numero de parte
IRF3710ZLPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF3710ZLPBF.pdf
Total:$1.76000
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$1.76000

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Numero de parte
IRF3710ZLPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
59A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2900pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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