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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NVMFS6B85NLWFT1G

NVMFS6B85NLWFT1G

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Numero de parte
NVMFS6B85NLWFT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
NVMFS6B85NLWFT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
5.6A (Ta), 19A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.9nC @ 10V
Vgs (Max)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
480pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads

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