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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDG315N

FDG315N

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Numero de parte
FDG315N
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDG315N.pdf
Total:$0.24058
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Numero de parte
FDG315N
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
220pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SC-88 (SC-70-6)
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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