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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single 2SK3707-1E

2SK3707-1E

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Numero de parte
2SK3707-1E
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 20A
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
2SK3707-1E
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 20A
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
20A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2150pF @ 20V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220F-3SG
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

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