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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single CSD19501KCS

CSD19501KCS

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Numero de parte
CSD19501KCS
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CSD19501KCS.pdf
Total:$2.00000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$2.00000

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Numero de parte
CSD19501KCS
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3980pF @ 40V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
217W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

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