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SIR180DP-T1-RE3

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Numero de parte
SIR180DP-T1-RE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIR180DP-T1-RE3.pdf
Total:$0.92009
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$0.92009

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Numero de parte
SIR180DP-T1-RE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
32.4A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.05 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4030pF @ 30V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8

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