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IXTP5N60P

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Numero de parte
IXTP5N60P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTP5N60P.pdf
Total:$1.26000
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1pcs
$1.26000

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Numero de parte
IXTP5N60P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
Estado de la pieza
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14.2nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
750pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3

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