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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSZ042N04NSGATMA1

BSZ042N04NSGATMA1

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Numero de parte
BSZ042N04NSGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BSZ042N04NSGATMA1.pdf
Total:$0.51322
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$0.51322

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Numero de parte
BSZ042N04NSGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
40A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 36µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3700pF @ 20V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TSDSON-8
Paquete / Caja
8-PowerVDFN

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