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BSB028N06NN3GXUMA1

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Numero de parte
BSB028N06NN3GXUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BSB028N06NN3GXUMA1.pdf
Total:$1.07250
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Numero de parte
BSB028N06NN3GXUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
22A (Ta), 90A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 102µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
143nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
12000pF @ 30V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.2W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Caja
3-WDSON

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