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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SPA11N65C3XKSA1

SPA11N65C3XKSA1

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Numero de parte
SPA11N65C3XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SPA11N65C3XKSA1.pdf
Total:$2.31942
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$2.31942

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Numero de parte
SPA11N65C3XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
11A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 500µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1200pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220-FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

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