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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXFB44N100P

IXFB44N100P

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Numero de parte
IXFB44N100P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXFB44N100P.pdf
Total:$18.58120
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$18.58120

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Numero de parte
IXFB44N100P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
44A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
305nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
19000pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PLUS264™
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA

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