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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMG3418L-13

DMG3418L-13

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Numero de parte
DMG3418L-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMG3418L-13.pdf
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Numero de parte
DMG3418L-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
464.3pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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