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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXFB60N80P

IXFB60N80P

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Numero de parte
IXFB60N80P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXFB60N80P.pdf
Total:$21.52000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$21.52000

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Numero de parte
IXFB60N80P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
18000pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PLUS264™
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA

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