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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRFD214

IRFD214

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Numero de parte
IRFD214
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRFD214.pdf
Total:$1.41075
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Numero de parte
IRFD214
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
450mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 270mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
140pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja
4-DIP (0.300", 7.62mm)

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