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CY7C1314CV18-200BZC

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Numero de parte
CY7C1314CV18-200BZC
Fabricante
Cypress Semiconductor
Descripción
IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
CY7C1314CV18-200BZC
Fabricante
Cypress Semiconductor
Descripción
IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Synchronous, QDR II
Tamaño de la memoria
18Mb (512K x 36)
Frecuencia de reloj
200MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página
-
Tiempo de acceso
-
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
165-LBGA
Paquete del dispositivo del proveedor
165-FBGA (13x15)

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