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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDPF8D5N10C

FDPF8D5N10C

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Numero de parte
FDPF8D5N10C
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
FET ENGR DEV-NOT REL
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$2.26195
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$2.26195

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Numero de parte
FDPF8D5N10C
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
FET ENGR DEV-NOT REL
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
76A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 130µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2475pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.4W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220F
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

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