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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSS123LT1G

BSS123LT1G

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Numero de parte
BSS123LT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.05327
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$0.05327

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Numero de parte
BSS123LT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
170mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
20pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
225mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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