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IRF6621TRPBF

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Numero de parte
IRF6621TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF6621TRPBF.pdf
Total:$0.48279
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Numero de parte
IRF6621TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
12A (Ta), 55A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.1 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1460pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DIRECTFET™ SQ
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric SQ

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