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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

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Numero de parte
DMN1150UFB-7B
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMN1150UFB-7B.pdf
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Numero de parte
DMN1150UFB-7B
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.41A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
106pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquete / Caja
3-UFDFN

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