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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTH30N50P

IXTH30N50P

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Numero de parte
IXTH30N50P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTH30N50P.pdf
Total:$5.12500
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$5.12500

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Numero de parte
IXTH30N50P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4150pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
460W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja
TO-247-3

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