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CSD25485F5T

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Numero de parte
CSD25485F5T
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
CSD25485F5T
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
CSD25485F5T
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
CSD25485F5T
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
5.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 900mA, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)
-12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
533pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
3-PICOSTAR
Paquete / Caja
3-XFDFN

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