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TSM60NB1R4CP ROG

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Numero de parte
TSM60NB1R4CP ROG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
TSM60NB1R4CP ROG.pdf
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Numero de parte
TSM60NB1R4CP ROG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.12nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
257.3pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
28.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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