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RQ1A070APTR

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Numero de parte
RQ1A070APTR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
RQ1A070APTR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 4.5V
Vgs (Max)
-8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7800pF @ 6V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
550mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TSMT8
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead

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