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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

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Numero de parte
DMN1054UCB4-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMN1054UCB4-7.pdf
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Numero de parte
DMN1054UCB4-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
908pF @ 6V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
740mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
X1-WLB0808-4
Paquete / Caja
4-XFBGA, WLBGA

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