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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRFH5106TR2PBF

IRFH5106TR2PBF

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Numero de parte
IRFH5106TR2PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRFH5106TR2PBF.pdf
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Numero de parte
IRFH5106TR2PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
21A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3090pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.6W (Ta), 114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN

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