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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

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Numero de parte
FCU4300N80Z
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FCU4300N80Z.pdf
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Numero de parte
FCU4300N80Z
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 160µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
355pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
27.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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