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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRL6342PBF

IRL6342PBF

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Numero de parte
IRL6342PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
IRL6342PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
9.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1025pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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