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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSO080P03SHXUMA1

BSO080P03SHXUMA1

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Numero de parte
BSO080P03SHXUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BSO080P03SHXUMA1.pdf
Total:$0.75075
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Numero de parte
BSO080P03SHXUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
12.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
136nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5890pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.79W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
P-DSO-8
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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