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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1

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Numero de parte
BSP149H6327XTSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BSP149H6327XTSA1.pdf
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Numero de parte
BSP149H6327XTSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
660mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 400µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
430pF @ 25V
Característica FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (max)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-SOT223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA

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