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2N7002DW L6327

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Numero de parte
2N7002DW L6327
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
2N7002DW L6327
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
20pF @ 25V
Potencia - max
500mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-SOT363-6

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