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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NP160N04TUG-E1-AY

NP160N04TUG-E1-AY

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Numero de parte
NP160N04TUG-E1-AY
Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
NP160N04TUG-E1-AY
Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
160A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
15750pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.8W (Ta), 220W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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