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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos IRF7341PBF

IRF7341PBF

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Numero de parte
IRF7341PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
IRF7341PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
740pF @ 25V
Potencia - max
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO

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