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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

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Numero de parte
DMN4800LSSQ-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMN4800LSSQ-13.pdf
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Numero de parte
DMN4800LSSQ-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
8.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.7nC @ 5V
Vgs (Max)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
798pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.46W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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