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ZXMC3F31DN8TA

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Numero de parte
ZXMC3F31DN8TA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
ZXMC3F31DN8TA.pdf
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Numero de parte
ZXMC3F31DN8TA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N and P-Channel
Característica FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
6.8A, 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
608pF @ 15V
Potencia - max
1.8W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO

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