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BAS19LT3G

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Numero de parte
BAS19LT3G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
BAS19LT3G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Estado de la pieza
Active
Tipo de diodo
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.)
120V
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
200mA (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si
1.25V @ 200mA
Velocidad
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tiempo de recuperación inverso (trr)
50ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr
100nA @ 100V
Capacitancia a Vr, F
5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Temperatura de funcionamiento - Unión
-55°C ~ 150°C

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